因公临时出国(境)团组执行情况公示表
发布者:国教/继教学院发布时间:2020-11-07浏览次数:760
组团单位:黄山学院 公示时间:2020年11月7日
邀请单位 | 加拿大多伦多大学 |
出访任务 | 访学 |
经费来源 | 派出单位承担 | 团组实际 支出经费 | 154331.75元 |
出 访 人 员 |
鲍婕 黄山学院机电工程学院教师 |
境外行程情况 |
日期(按每天填写),抵离城市(中转城市也请写清),主要工作内容 时间 | 内容 | 2019年10月14日 | 抵达多伦多 | 2019年10月15-31日 | 和Ng教授讨论研究计划,参观课题组实验室,听苏黎世联邦理工学院Catalin Arghir教授有关电网控制的报告 | 2019年11月1日-30日 | 在CMC下载软件,学习使用crosslight,跟组内师生分别见面,了解各自研究专长 | 2019年12月1日-31日 | 学习《Smart power ICs》,与Ng教授讨论修改文章 | 2020年1月1日-31日 | 参加Ng教授研究生课程,学习功率BJTs和功率MOSFET | 2020年2月1日-29日 | 准备课程报告,学习TCAD仿真分析 | 2020年3月1日-31日 | 与邓高强讨论GaN HEMT实验测试;听Andrew Shorten博士毕业答辩;与Monica讨论GaN HEMT项目封装仿真 | 2020年4月1日-30日 | 与Weijia讨论GaN HEMT器件电仿真,修改器件结构和参数,进行性能优化 | 2020年5月1日-31日 | 进入Ng教授SiC栅驱动项目,通过瞬态仿真研究温度的时域特性 | 2020年6月1日-30日 | 与Ng教授讨论石墨烯在功率模块中热管理应用的方案设计和验证 | 2020年7月1日-31日 | 查阅期刊及国际会议论文,撰写GaN器件的封装技术综述 | 2020年8月1日-31日 | 与Ng教授讨论文章修改,参加课题组暑期线上讨论会 | 2020年9月1日-30日 | 查阅期刊及国际会议论文,撰写GaN HEMT电力电子器件技术发展综述 | 2020年10月1日-14日 | 文章投稿,与课题组师生讨论样品制作及测试方案 | 2020年10月15日 | 从多伦多乘机,中转温哥华,返厦门 |
|
出访成果 | 详见附件中的出访报告(另附)。 |
附件:访学总结-鲍婕.rar